Подложки на основе оксида алюминия (Al2O3), нитрида алюминия (AlN), нитрида кремния (Si3N4) и других керамических материалов, благодаря своим характеристикам, широко применяются в электронной промышленности.

 

 

 

 

Основные применения:

• керамические заготовки печатных плат
• подложки для металлизации по толстопленочной и тонкопленочной технологии;
• полированные подложки для металлизации по тонкопленочной технологии;
• подложки для светодиодов, лазерных диодов;
• прецизионные подложки для СВЧ ГИС и микросборок с высокой плотностью отверстий и углублениями для кристаллов;
• мультиплицированные платы для наборов резисторов, реостатов, датчиков уровня топлива, давления и пр.;
• носители схем датчиков отравляющих веществ, ионизирующего излучения, магнитного поля и пр.;
• пластины для ионизаторов и озонаторов воздуха;
• изоляционные прокладки для отвода тепла от электронных компонентов к радиатору охлаждения;
• протекторы для элементов пьезоэлектрических преобразователей;
• основания и держатели плоских нагревательных элементов, кристаллов мощных полупроводниковых приборов;
• пластины для термоэлектрических модулей (элементов Пельтье);
• экраны для радиочастотных генераторов плазмы.

 

Особенности применения изделий из оксида алюминия (Al2O3)

Оксид алюминия (Al2O3) обладает сочетанием всех необходимых характеристик материала и самой низкой стоимостью. Высокая механическая прочность, твердость, износостойкость, огнеупорность, теплопроводность, химическая инертность позволяют в ряде случаев заменить более дорогие материалы и удешевить производство. Содержание Al2O3 от 96% до 99,7%, толщина от 0,25. Возможно изготовление пластин со шлифованной либо полированной поверхностью любой геометрии, металлизация.

 

Особенности применения изделий из нитрида алюминия (AlN)

Благодаря превосходным изоляционным свойствам, высокой теплопроводности, прочности и низкому коэффициенту теплового расширения нитрид алюминия AlN используется в электронных устройствах с высокой мощностью, биполярных транзисторах с изолированным затвором, системах связи, в светодиодных индикаторах, пассивных компонентах, охлаждающих устройствах, при прямом соединении компонентов на медном припое. Содержание AlN  от 96% до 99,7%, толщина от 0,25 до 11 мм. Возможно изготовление пластин со шлифованной либо полированной поверхностью любой геометрии, металлизация.

 

Особенности применения изделий из нитрида кремния (Si3N4)

Нитрид кремния (Si3N4) обладает исключительными механическими свойствами при длительных циклических воздействиях температуры, в глубоком вакууме, в режиме усиленного трения и в других жестких условиях эксплуатации. Отличная износостойкость и очень высокая прочность при изгибе позволяют производить подложки толщиной 0,3 мм, что дает низкие значения теплового сопротивления (что сравнимо с нитридом алюминия (AlN) толщиной 1,0 мм), при лучших значениях механических характеристик, стабильных в широком диапазоне температур и условиях агрессивной среды.

Нитрид кремния обладает повышенной радиационной стойкостью, устойчивостью к коррозии и значительной электрической прочностью по сравнению с другими материалами из керамики.

 

Характеристика/Материал	Al2O3 96%	Al2O3 99,6%	AlN	Si3N4
Кажущаяся плотность, г/см3	3,7-3,8	3,8-3,9	3,3	3,5
Твердость по Виккерсу, ГПа	16	21	11	15
Прочность при изгибе, МПа	500	400	320	750
Модуль Юнга, ГПа	340	350	320	300
Теплопроводность, Вт/(м·К)	24	28	180	55
КТЛР, 10-6/ºК	6,8-8,0	6,8-8,5	4,7-5,6	2,7
Электрическая прочность, Кв/мм	15	10	16	36
Объемное сопротивление, Ом·м	>1012	>1012	>1012	>1012
Диэлектрическая проницаемость	9,8	9,9	8,9	8,5

 

Консультацию по любому интересующему Вас вопросу Вы можете получить у наших специалистов.